RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Comparez
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Note globale
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Note globale
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
27
Autour de -23% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.7
13.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.7
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
22
Vitesse de lecture, GB/s
13.4
17.7
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
12.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2181
3075
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB Comparaison des RAM
Kingston 99U5403-185.A00LF 8GB
Kingston 9905403-410.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB Comparaison des RAM
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905678-024.A00G 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G32 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston 9905624-033.A00G 8GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Kingston KHX3733C19D4/8GX 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link