RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Comparez
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB vs Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Note globale
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Note globale
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
26
Autour de -18% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.9
14
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.5
9.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
22
Vitesse de lecture, GB/s
14.0
15.9
Vitesse d'écriture, GB/s
9.1
9.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2330
2611
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB Comparaison des RAM
Kingston EBJ81UG8BBW0-GN-F 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905625-066.A00G 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3400C16 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Avant Technology J642GU42J9266N2 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
Samsung M4 70T5663EH3-CF7 2GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston X6TCK6-MIE 32GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link