RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Comparez
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Note globale
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Note globale
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
45
Autour de -50% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.8
14.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.3
11.1
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
45
30
Vitesse de lecture, GB/s
14.7
16.8
Vitesse d'écriture, GB/s
11.1
14.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
25600
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2556
3527
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB Comparaison des RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88A2B-3C 512MB
Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
SK Hynix V-GeN D3H8GL1600RN 8GB
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston KF3200C20S4/16GX 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link