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A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Comparez
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB vs Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Note globale
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Note globale
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Différences
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Différences
Raisons de considérer
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
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Raisons de considérer
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
40
Autour de -82% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.9
13.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.5
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
40
22
Vitesse de lecture, GB/s
13.6
15.9
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
9.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2097
2611
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB Comparaison des RAM
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A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB Comparaison des RAM
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
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