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A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Comparez
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB vs InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Note globale
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Note globale
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
85
Autour de 65% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.8
11.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.5
6.0
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
17000
Autour de 1.25 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
30
85
Vitesse de lecture, GB/s
16.8
11.3
Vitesse d'écriture, GB/s
11.5
6.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
17000
21300
Other
Description
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
3019
1118
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8C
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Kingston 9905622-025.A01G 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
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