RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Comparez
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB vs Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Note globale
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Note globale
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
50
Autour de 40% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.8
10.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.5
7.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
17000
Autour de 1.25 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
30
50
Vitesse de lecture, GB/s
16.8
10.2
Vitesse d'écriture, GB/s
11.5
7.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
17000
21300
Other
Description
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
3019
2064
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Corsair CMU32GX4M2D3200C16 16GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Apacer Technology 78.CAGPW.40C0B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston 99U5643-001.A00G 8GB
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link