RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Comparez
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB vs Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Note globale
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Note globale
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
11.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
48
56
Autour de -17% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.4
1,925.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
56
48
Vitesse de lecture, GB/s
4,315.2
11.6
Vitesse d'écriture, GB/s
1,925.7
8.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
658
2466
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB Comparaison des RAM
ProMos/Mosel Vitelic V916764K24QAFW-F5 512MB
Kingston DNU540DR4NABND1 2GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Maxsun MSD48G26Q3 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Ramsta Ramsta-2400Mhz-4G 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMU64GX4M4A2666C16 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link