RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Comparez
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Note globale
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Note globale
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
14.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
52
Autour de -100% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.8
1,145.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
4200
Autour de 4.05 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
52
26
Vitesse de lecture, GB/s
2,614.5
14.4
Vitesse d'écriture, GB/s
1,145.9
10.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
4200
17000
Other
Description
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
4-4-4-12 / 533 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
409
2497
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB Comparaison des RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Corsair CMD32GX4M4A2800C16 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Corsair CMT16GX4M2Z3200C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston KHX2666C15S4/8G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link