RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Comparez
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Note globale
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Note globale
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
15.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
49
52
Autour de -6% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.0
1,145.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
4200
Autour de 6.1 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
52
49
Vitesse de lecture, GB/s
2,614.5
15.8
Vitesse d'écriture, GB/s
1,145.9
11.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
4200
25600
Other
Description
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
4-4-4-12 / 533 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
409
2534
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB Comparaison des RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB Comparaison des RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16/16G 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3000C15 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFT 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4000 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link