RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Comparez
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Note globale
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Note globale
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
66
Autour de -113% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
21.4
2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
16.2
1,557.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
66
31
Vitesse de lecture, GB/s
2,775.5
21.4
Vitesse d'écriture, GB/s
1,557.9
16.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
382
3809
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Comparaison des RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081S 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
Kingston HP698650-154-MCN 4GB
Kingston 99P5471-016.A00LF 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Apacer Technology GD2.1527WC.001 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Apacer Technology GD2.1827CS.003 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston HX424C15FB/16 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 9905678-033.A00G 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link