RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Comparez
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Note globale
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Note globale
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
11.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
66
Autour de -106% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.3
1,557.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
66
32
Vitesse de lecture, GB/s
2,775.5
11.8
Vitesse d'écriture, GB/s
1,557.9
13.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
382
2844
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Comparaison des RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB Comparaison des RAM
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston K821PJ-MIB 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston MSI24D4U7D8MH-16 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston ACR26D4S9S8MH-8 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link