RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Comparez
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Note globale
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Note globale
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
12
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
46
Autour de -92% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
6.6
2,061.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
24
Vitesse de lecture, GB/s
4,937.3
12.0
Vitesse d'écriture, GB/s
2,061.2
6.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
759
1433
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB Comparaison des RAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CM4X16GE2666C16K4 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hewlett-Packard 7EH55AA# 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBR 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link