RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
Comparez
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
Note globale
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
19
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,061.2
14.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
21
46
Autour de -119% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
21
Vitesse de lecture, GB/s
4,937.3
19.0
Vitesse d'écriture, GB/s
2,061.2
14.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
759
3216
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB Comparaison des RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston 9905734-102.A00G 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston KHX2666C16D4/32GX 32GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4BL.M8FB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link