RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905624-045.A00G 8GB
Comparez
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Kingston 9905624-045.A00G 8GB
Note globale
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Note globale
Kingston 9905624-045.A00G 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
46
93
Autour de 51% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
15.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Kingston 9905624-045.A00G 8GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.3
2,061.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905624-045.A00G 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
93
Vitesse de lecture, GB/s
4,937.3
15.5
Vitesse d'écriture, GB/s
2,061.2
8.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
759
1670
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Kingston 9905624-045.A00G 8GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK64GX4M2D3000C16 32GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMT32GX4M2Z3600C18 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AZC0B 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3333C16 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
INTENSO M418039 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link