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AMD R538G1601U2S-UO 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Comparez
AMD R538G1601U2S-UO 8GB vs InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Note globale
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Note globale
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
85
Autour de 69% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.2
11.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.0
6.0
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
85
Vitesse de lecture, GB/s
14.2
11.3
Vitesse d'écriture, GB/s
10.0
6.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2634
1118
AMD R538G1601U2S-UO 8GB Comparaison des RAM
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G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
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SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
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