RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Comparez
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Note globale
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
38
Autour de -31% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.8
12.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.0
9.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
38
29
Vitesse de lecture, GB/s
12.8
13.8
Vitesse d'écriture, GB/s
9.1
11.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2099
2690
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB Comparaison des RAM
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB Comparaison des RAM
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston CBD24D4U7S8MA-8 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FHP 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.M16FE1 16GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston X6TCK6-MIE 32GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FD 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link