RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Comparez
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Note globale
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
34
35
Autour de 3% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.9
10.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.4
7.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Signaler un bogue
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
34
35
Vitesse de lecture, GB/s
14.9
10.2
Vitesse d'écriture, GB/s
11.4
7.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
19200
19200
Other
Description
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2831
2124
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB Comparaison des RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Nanya Technology NT1GT64U8HB0BN-3C 1GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C12 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Kingston KHX2400C11D3/8GX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMT128GX4M8C3000C15 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
AMD R744G2133U1S 4GB
SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Ramaxel Technology RMUA5090KE68H9F2133 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link