RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Comparez
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB vs A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Note globale
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Note globale
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
39
Autour de 26% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.3
12.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.6
10.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
29
39
Vitesse de lecture, GB/s
14.3
12.8
Vitesse d'écriture, GB/s
10.1
11.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2227
2089
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB Comparaison des RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Heoriady M378B5273DH0-CK0 4GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.B1GN3.4032B 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link