RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
Comparez
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB vs Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
Note globale
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Note globale
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.8
14.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.3
10.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
29
29
Vitesse de lecture, GB/s
14.3
18.8
Vitesse d'écriture, GB/s
10.1
14.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2227
3611
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB Comparaison des RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Heoriady M378B5273DH0-CK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
Corsair CMK32GX5M2B5200C40 16GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link