RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Comparez
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Note globale
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Note globale
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
27
Autour de -8% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.1
13.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.2
8.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
25
Vitesse de lecture, GB/s
13.9
15.1
Vitesse d'écriture, GB/s
8.4
11.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2251
2489
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB Comparaison des RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Kingston HP26D4U9D8HC-16X 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
G Skill Intl F4-3200C22-32GRS 32GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Avant Technology W641GU42J7240NC 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link