RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Comparez
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Note globale
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Note globale
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
27
Autour de 7% latence réduite
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.7
12.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.6
8.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
25
27
Vitesse de lecture, GB/s
12.1
17.7
Vitesse d'écriture, GB/s
8.6
14.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2045
3587
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB Comparaison des RAM
Swissbit SLN04G64E1BQ2SA-DC 4GB
Kingston 9905471-030.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.16FE 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4W.M16FB1 32GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link