RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Comparez
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Note globale
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Note globale
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
25
Autour de -14% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.2
12.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.0
8.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
25
22
Vitesse de lecture, GB/s
12.1
17.2
Vitesse d'écriture, GB/s
8.6
13.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2045
3007
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB Comparaison des RAM
Swissbit SLN04G64E1BQ2SA-DC 4GB
Kingston 9905471-030.A00LF 8GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMU16GX4M2D3200C16 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905630-051.A00G 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3600 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMT128GX4M8C3000C15 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Kingston HP536727-H41-ELD 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link