RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Comparez
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Note globale
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Note globale
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
6
18.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,935.8
15.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
45
Autour de -61% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
45
28
Vitesse de lecture, GB/s
6,336.8
18.5
Vitesse d'écriture, GB/s
2,935.8
15.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1144
3601
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB Comparaison des RAM
OCZ OCZ2T8001G 1GB
Micron Technology 9HTF6472FY-667B4D3 512MB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRK 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.DAGP2.4030B 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston HP32D4U2S1ME-8 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMD32GX4M4B3600C16 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMD32GX4M4B3333C16 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link