RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Comparez
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB vs Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Note globale
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Note globale
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.4
15.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.9
9.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
31
Autour de -3% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
31
30
Vitesse de lecture, GB/s
17.4
15.1
Vitesse d'écriture, GB/s
10.9
9.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2735
2732
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB Comparaison des RAM
Corsair CMD32GX3M4A2400C10 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FARG 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston 9905624-036.A00G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link