RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
Comparez
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
Note globale
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Note globale
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
13.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
49
Autour de -53% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
6.9
2,066.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
49
32
Vitesse de lecture, GB/s
4,577.1
13.8
Vitesse d'écriture, GB/s
2,066.5
6.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
737
1844
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Comparaison des RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston 9965662-012.A01G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G32S816SK 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Super Talent F24EA8GS 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link