RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Comparez
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Note globale
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Note globale
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
14.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
62
Autour de -138% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.8
1,843.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
62
26
Vitesse de lecture, GB/s
3,556.6
14.6
Vitesse d'écriture, GB/s
1,843.6
11.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
542
3124
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB Comparaison des RAM
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB Comparaison des RAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GFX 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZR 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381S 8GB
Crucial Technology BLT4G3D1337DT1TX0. 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link