RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Note globale
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
62
Autour de -148% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.4
7.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
18.3
5.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
62
25
Vitesse de lecture, GB/s
7.4
17.4
Vitesse d'écriture, GB/s
5.9
18.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1612
3731
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Comparaison des RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G32S816SK 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Kingston 9905700-024.A00G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston 9965434-071.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BDBS 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link