RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
Comparez
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB vs Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
Note globale
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Note globale
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
18
35
Autour de 49% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.7
15.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.6
13.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
18
35
Vitesse de lecture, GB/s
17.7
15.3
Vitesse d'écriture, GB/s
13.1
14.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2926
3371
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB Comparaison des RAM
Super Talent L89 11/2011 LOGIN. 4GB
Samsung M393B1K70EB0-CH9 8GB
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3333C16 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMK64GX4M4B3200C16 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Corsair CMK128GX4M8A2666C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905702-071.A00G 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMK32GX4M2Z3200C16 16GB
Corsair CMD16GX3M4A2666C11 4GB
Kingston 9905624-008.A00G 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link