RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Comparez
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Note globale
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Note globale
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
38
Autour de -27% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.8
12.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.3
8.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
38
30
Vitesse de lecture, GB/s
12.9
17.8
Vitesse d'écriture, GB/s
8.3
14.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2144
3568
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB Comparaison des RAM
Samsung M393B2K70DM0-CF8 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Jinyu 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMD32GX4M4B3200C16 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAR 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMU16GX4M2C3200C16 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link