RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Comparez
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Note globale
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Note globale
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
69
Autour de -138% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.7
6.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.9
3.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
69
29
Vitesse de lecture, GB/s
6.4
16.7
Vitesse d'écriture, GB/s
3.7
12.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1129
3273
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB Comparaison des RAM
SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB
Samsung M391B5773DH0-CK0 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Kingston 9905744-077.A00G 16GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
A-DATA Technology AD5U480016G-B 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Corsair CM4X16GE2133C13K8 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link