RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Comparez
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Note globale
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Note globale
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
35
47
Autour de -34% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.8
12.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.2
8.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
47
35
Vitesse de lecture, GB/s
12.2
14.8
Vitesse d'écriture, GB/s
8.2
11.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2128
2336
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT25664BF160BJ.M4F 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FP 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3466C16 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905678-138.A00G 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link