RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Comparez
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB vs A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Note globale
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Note globale
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
29
Autour de 7% latence réduite
Raisons de considérer
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.5
11.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.8
8.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
29
Vitesse de lecture, GB/s
11.5
17.5
Vitesse d'écriture, GB/s
8.5
12.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1756
3086
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB Comparaison des RAM
TwinMOS 9DPT1CO4E-TATP 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Kingston XRMWRN-MIE2 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston HX421C14FB/4 4GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston KHX2666C16D4/32GX 32GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link