RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FJ 8GB
Comparez
Kingston K531R8-MIN 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FJ 8GB
Note globale
Kingston K531R8-MIN 4GB
Note globale
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FJ 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston K531R8-MIN 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
39
Autour de 28% latence réduite
Raisons de considérer
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FJ 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.1
13.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.5
9.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FJ 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
39
Vitesse de lecture, GB/s
13.4
16.1
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
10.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2445
2815
Kingston K531R8-MIN 4GB Comparaison des RAM
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FJ 8GB Comparaison des RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Avant Technology W641GU42J9266NC 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMW64GX4M2D3000C16 32GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Apacer Technology 78.BAGSR.4030B 4GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Maxsun MSD48G30M3 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston 99U5701-049.A00G 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link