RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Comparez
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB vs Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Note globale
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Note globale
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
50
Autour de 44% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.3
15.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.6
10.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
19200
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
50
Vitesse de lecture, GB/s
18.3
15.3
Vitesse d'écriture, GB/s
14.6
10.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
19200
25600
Other
Description
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Vitesse d'horloge
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
3474
2512
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB Comparaison des RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB Comparaison des RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Apacer Technology 78.DAGQ7.40B0B 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Kingston HP26D4U9D8HC-16X 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBR2 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FD 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link