RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
Comparez
Kingston KVR533D2N4 512MB vs Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
Note globale
Kingston KVR533D2N4 512MB
Note globale
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston KVR533D2N4 512MB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
38
75
Autour de -97% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.7
1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.4
1,672.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
4200
Autour de 4.05 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
75
38
Vitesse de lecture, GB/s
1,943.5
13.7
Vitesse d'écriture, GB/s
1,672.1
9.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
4200
17000
Other
Description
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
4-4-4-12 / 533 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
301
2471
Kingston KVR533D2N4 512MB Comparaison des RAM
Kingston KC6844-ELG37 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVR 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BDBS 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR2 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332S 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link