RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Kingston KHX3466C16D4/8GX 8GB
Comparez
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB vs Kingston KHX3466C16D4/8GX 8GB
Note globale
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Note globale
Kingston KHX3466C16D4/8GX 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
33
Autour de 24% latence réduite
Raisons de considérer
Kingston KHX3466C16D4/8GX 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.8
15.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
16.0
11.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
14900
Autour de 1.29 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Kingston KHX3466C16D4/8GX 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
25
33
Vitesse de lecture, GB/s
15.4
16.8
Vitesse d'écriture, GB/s
11.3
16.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
14900
19200
Other
Description
PC3-14900, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-10-9-28 / 1866 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2696
3573
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB Comparaison des RAM
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-RD 8GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Kingston KHX3466C16D4/8GX 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 9905663-016.A00G 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology AFLD48VH1P 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Corsair CMD64GX4M4B3333C16 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
Smart Modular SH564128FH8N0QHSCG 4GB
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link