RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Comparez
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Note globale
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Note globale
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.6
7.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
37
Autour de -32% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.4
13.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
37
28
Vitesse de lecture, GB/s
13.9
14.4
Vitesse d'écriture, GB/s
8.6
7.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2395
2690
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Comparaison des RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMR32GX4M4D3000C16 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link