RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB
Comparez
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB
Note globale
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Note globale
Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
17.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
92
Autour de -241% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.1
1,266.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
92
27
Vitesse de lecture, GB/s
2,105.4
17.4
Vitesse d'écriture, GB/s
1,266.1
13.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
339
2912
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston KHX3000C15D4/4GX 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 99U5624-001.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRR 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR3-2000 CL9 4GB 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link