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Nanya Technology M2S4G64CB8HB5N-CG 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Comparez
Nanya Technology M2S4G64CB8HB5N-CG 4GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Note globale
Nanya Technology M2S4G64CB8HB5N-CG 4GB
Note globale
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology M2S4G64CB8HB5N-CG 4GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
30
Autour de 3% latence réduite
Raisons de considérer
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.6
9.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.4
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology M2S4G64CB8HB5N-CG 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
29
30
Vitesse de lecture, GB/s
9.9
15.6
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
10.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1691
2688
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calculate
Absolute Latency
0 ns
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