RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Comparez
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Note globale
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Note globale
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
20
42
Autour de -110% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
19.7
9.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.2
6.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
42
20
Vitesse de lecture, GB/s
9.7
19.7
Vitesse d'écriture, GB/s
6.0
15.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1396
3473
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Comparaison des RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston HP32D4U2S8ME-16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMR32GX4M4C3200C16 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16/16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3466C16 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link