RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Comparez
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB vs G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Note globale
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
Note globale
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
29
Autour de 3% latence réduite
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.6
12.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.2
8.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
29
Vitesse de lecture, GB/s
12.8
17.6
Vitesse d'écriture, GB/s
8.4
14.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2226
3573
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB Comparaison des RAM
Ramaxel Technology RMT3170ME68F9F1600 4GB
Kingston 9905622-025.A00G 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
A-DATA Technology AM1L16BC4R1-B1GS 4GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213382 8GB
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link