RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Comparez
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Note globale
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Note globale
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
35
42
Autour de -20% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.6
10.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.6
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
42
35
Vitesse de lecture, GB/s
10.6
13.6
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
11.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2150
2701
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB Comparaison des RAM
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16X 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston KHX2400C1C14/16G 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381S 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link