RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Comparez
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Note globale
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Note globale
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
71
Autour de -196% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
20.1
2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
18.9
1,322.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
71
24
Vitesse de lecture, GB/s
2,831.6
20.1
Vitesse d'écriture, GB/s
1,322.6
18.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
399
4207
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston HP24D4U7S8MH-8 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FDD2 4GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Apacer Technology 78.C1GMS.C7Z0C 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMD64GX4M4C3000C15 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AZC0B 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link