RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
Comparez
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
Note globale
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Note globale
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
71
Autour de -196% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
21.1
2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
19.8
1,322.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
71
24
Vitesse de lecture, GB/s
2,831.6
21.1
Vitesse d'écriture, GB/s
1,322.6
19.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
399
4394
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BDBS 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
Corsair CMWX16GC3000C15W4 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Apacer Technology 76.D305G.D390B 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingston ACR24D4S7S1MB-4 4GB
Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB
Kingston CBD32D4S2D8HD-16 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMD32GX4M4A2800C16 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link