RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
Comparez
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
Note globale
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Note globale
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
16.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
71
Autour de -122% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.5
1,322.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
5300
Autour de 4.02 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
71
32
Vitesse de lecture, GB/s
2,831.6
16.6
Vitesse d'écriture, GB/s
1,322.6
13.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
21300
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
399
3049
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB Comparaison des RAM
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Corsair CMK16GX4M4B3300C16 4GB
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston KYXC0V-MIH 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Kingston KHX2133C13S4/16G 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CM4X16GE2666C16K2 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMK8GX4M1D3000C16 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Panram International Corporation M424016 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link