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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
Comparez
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
Note globale
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Note globale
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
34
35
Autour de -3% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
19.3
13.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.6
9.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
12800
Autour de 2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
35
34
Vitesse de lecture, GB/s
13.7
19.3
Vitesse d'écriture, GB/s
9.6
14.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
25600
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2312
3249
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Comparaison des RAM
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Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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OCZ OCZ2SI8002G 2GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
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Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB
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G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
AMD R7416G2133U2S 16GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
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Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FD 16GB
Kingston KHX3466C16D4/16GX 16GB
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