RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Comparez
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Note globale
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Note globale
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.7
11.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.6
8.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
35
Autour de -9% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
35
32
Vitesse de lecture, GB/s
13.7
11.8
Vitesse d'écriture, GB/s
9.6
8.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2312
2585
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Comparaison des RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8JT 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston KHX3600C17D4/16GX 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CMR32GX4M4C3600C18 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Kingston 9905599-025.A00G 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link