RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Comparez
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB vs OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Note globale
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Note globale
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
39
Autour de -30% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16
14.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.6
9.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
12800
Autour de 2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
39
30
Vitesse de lecture, GB/s
14.7
16.0
Vitesse d'écriture, GB/s
9.2
10.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
25600
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2322
3026
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB Comparaison des RAM
Transcend Information JM1600KLN-4GK 2GB
Micron Technology ITC 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston KMKYF9-MIH 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Corsair CMZ8GX3M1A1600C10 8GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C16 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2800C12 4GB
Corsair CM4X4GF2666C16K4 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link