RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Comparez
PNY Electronics PNY 2GB vs G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Note globale
PNY Electronics PNY 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
PNY Electronics PNY 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
79
Autour de 66% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.4
7.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.1
13.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
79
Vitesse de lecture, GB/s
13.8
14.1
Vitesse d'écriture, GB/s
8.4
7.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2274
1651
PNY Electronics PNY 2GB Comparaison des RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kingston 9905624-043.A00G 8GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingston 9965604-008.D00G 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Kingston 9905622-058.A00G 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link