RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
Comparez
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
Note globale
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Note globale
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
13.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,069.2
10.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
36
106
Autour de -194% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
106
36
Vitesse de lecture, GB/s
3,273.7
13.4
Vitesse d'écriture, GB/s
2,069.2
10.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
734
2734
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB Comparaison des RAM
Qimonda 72T128401EFA3SC2 512MB
Kingston KP6FH5-MIE 32GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston 99U5665-004.A00G 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Corsair CMK64GX4M2D3600C18 32GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16/16G 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link